МОП-транзисторы (MOSFET)

Haiben поставляет электронные компоненты из Shenzhen с 2013 года, и наш каталог включает компактный, но тщательно подобранный ассортимент транзисторов: биполярные транзисторы, цифровые (со встроенным смещением) типы, транзисторы Дарлингтона и составные приборы, а также МОП-транзисторы (MOSFET). Для отделов закупок и инженеров-аппаратчиков эта страница группирует ассортимент МОП-транзисторов (MOSFET), объясняет, как мы разделяем его по каналу и номиналу, и указывает критерии выбора, которые важны при выборе МОП-транзистора (MOSFET) для конструкции.

Ассортимент МОП-транзисторов (MOSFET) кратко

Часть каталога, посвящённая МОП-транзисторам (MOSFET), организована по каналу, корпусу и классу напряжения, чтобы покупатели могли быстро сузить список перед проверкой даташита. Текущие позиции включают:

• VC9320A-1 — SOT-723, N-канальный, VDS 20 В, ID 1.0 А, RDS(ON) 160 мОм типично при VGS 4.5 В и 180 мОм типично при 2.5 В, устойчивость ESD HBM 3 кВ.
• VCAA3134KLC — SOT-883, N-канальный, VDS 20 В, ID 0.9 А, RDS(ON) ниже 250 мОм при VGS 4.5 В и ниже 350 мОм при 2.5 В; конструкция ячейки с высокоплотной траншеей для низкого сопротивления во включённом состоянии, оптимизирована для характеристик переключения.
• VC1012F — SOT-523, N-канальный, 150 мВт, ESD 2000 В.
• VC7002HX — SOT-23, N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) обогащённого типа, VDSS 60 В, 350 мВт, низкое RDS(ON), низкое пороговое напряжение затвора, низкая входная ёмкость, защита ESD до 2 кВ.
• VC2301HX-2.3A — SOT-23, P-канальный МОП-транзистор (MOSFET); в одном описании указана конструкция TrenchFET.
• VCE3139KHX — SOT-523, P-канальный, VDSS -20 В, 150 мВт.

Эти компоненты соседствуют с нашими линейками биполярных транзисторов (BJT), цифровых транзисторов и составных транзисторов, поэтому один запрос может охватить несколько позиций на плате. Если вы новичок в этом семействе приборов, наше пояснение о том, что такое МОП-транзистор (MOSFET) описывает базовую структуру и поведение при переключении, прежде чем вы перейдёте к таблицам.

N-канальные и P-канальные: две половины

Ассортимент чётко делится по полярности канала. N-канальные компоненты, такие как VC9320A-1, VCAA3134KLC, VC1012F и VC7002HX, обычно используются для низкостороннего переключения, где исток находится под потенциалом земли или близким к нему, а затвор управляется напряжением выше него. P-канальные компоненты, такие как VC2301HX-2.3A и VCE3139KHX, чаще встречаются в высокосторонних позициях или позициях переключения нагрузки, где затвор подтягивается ниже шины истока, чтобы включить прибор.

Просмотрите две группы отдельно: N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET) и P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET). Это разделение важно на этапе запроса, поскольку выбор канала определяет схему управления затвором и, следовательно, какое значение RDS(ON) в технической документации (даташите) является релевантным.

Параметры, определяющие выбор

Большинство запросов по MOSFET носят информационный характер: инженеры хотят понять, какой параметр ограничивает конструкцию, а не просто найти номер детали. Обычно выбор определяют четыре параметра:

• VDS / VDSS — напряжение сток-исток, которое прибор должен выдерживать. N-канальные детали на 20 В и 60 В VC7002HX охватывают различные шины; P-канальный VCE3139KHX рассчитан на VDSS -20 В.
• ID — непрерывный ток стока, указанный здесь как 1.0 А для VC9320A-1 и 0.9 А для VCAA3134KLC.
• RDS(ON) при фактическом управлении затвором — сопротивление во включённом состоянии имеет смысл только при том VGS, которое вы будете подавать. Обратите внимание, что детали на 20 В публикуют значения как при 4.5 В, так и при 2.5 В VGS, что важно для низковольтного логического управления.
• Корпус и ESD — SOT-723, SOT-883, SOT-523 и SOT-23 различаются по посадочному месту и рассеиваемой мощности; малосигнальные детали имеют номиналы 150 мВт или 350 мВт, а несколько MOSFET указывают стойкость ESD (HBM 3 кВ для VC9320A-1, 2 кВ для VC7002HX).

Роли MOSFET-транзисторов и подбор параметров

На практике MOSFET-транзистор в этом диапазоне выполняет одну из нескольких ролей: коммутация нагрузки от логического вывода, малосигнальная коммутация, сдвиг уровня или простое управление питанием на компактной плате. Траншельная конструкция VCAA3134KLC и низкий порог затвора и низкая входная ёмкость VC7002HX иллюстрируют, как технологический процесс и конструкция ячейки настраиваются для разных задач.

Остальной каталог поддерживает тот же процесс проектирования. Биполярные приборы (VC3904TB, VC3906B, VC8050X-0.3A, VCSS8050B-1.5A, VC2N4401Z, VC2N3906Z, VC2SC4617F) охватывают традиционное усиление и коммутацию; цифровые транзисторы (VC143ZEF, VC143ZME) интегрируют резистивную сеть базы; а категория транзисторов Дарлингтона / составных транзисторов включает составной MOSFET-Шоттки VC5853DCJ и мощный PNP-транзистор с N-MOSFET VCMNT32D. Для подбора сообщите нам канал, VDS, ID, предельное значение RDS(ON) при вашем напряжении затвора, корпус, который вы можете разместить, и любые требования по ESD — этого набора достаточно для отбора из ассортимента.

Часто задаваемые вопросы

С какого MOSFET начать для низковольтного ключа на 20 В?

Начните с N-канальных деталей на 20 В: VC9320A-1 в SOT-723 (ID 1.0 А, RDS(ON) 160 мОм тип. при VGS 4.5 В) или VCAA3134KLC в SOT-883 (ID 0.9 А, RDS(ON) ниже 250 мОм при 4.5 В). Выбирайте между ними по корпусу, запасу по току и напряжению затвора, которое может обеспечить ваша схема.

Предлагаете ли вы P-канальные MOSFET для коммутации по высокой стороне?

Да. P-канальные позиции — это VC2301HX-2.3A в SOT-23 и VCE3139KHX в SOT-523 (VDSS -20 В, 150 мВт). Перед окончательным выбором проверьте схему управления затвором и сопротивление во включённом состоянии при вашем фактическом VGS.

Можно ли объединить MOSFET с другими типами транзисторов в одном заказе?

Да. MOSFET находятся в том же каталоге, что и линейки биполярных, цифровых и составных транзисторов Дарлингтона, поэтому один запрос может охватывать несколько типов приборов. Укажите параметры и корпуса для каждой позиции, и мы ответим на основании опубликованных данных.