P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET)
Haiben — поставщик электронных компонентов на базе Shenzhen, основанный в 2013, обслуживающий закупочные команды и инженеров-аппаратчиков производителей электроники. Среди семейств транзисторов, которые мы держим на складе, линейка P-канальных МОП-транзисторов (MOSFET) охватывает малосигнальные компоненты и компоненты для коммутации нагрузки для управления в цепи стока, защиты от обратной полярности и компактных SMD-конструкций. Эта страница объясняет, что делают эти компоненты, что мы держим на складе и как выбрать подходящий. Наша линейка полупроводников собственного бренда Weforsemi управляется нашей стопроцентной дочерней компанией и представлена в ассортименте ниже наряду с более широким каталогом Haiben.
Для чего нужны P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET)
MOSFET — это ключ с управлением напряжением. В N-канальном приборе канал проводит ток, когда затвор находится под напряжением выше истока; в P-канальном приборе канал проводит, когда затвор находится под напряжением ниже истока. Это простое различие определяет, где применяется каждый тип.
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) P-канальных МОП-транзисторов (MOSFET) является естественным выбором для коммутации в цепи стока. Поскольку он проводит, когда затвор привязан к положительной шине, он может находиться между источником питания и нагрузкой и включать и выключать эту нагрузку без накачки заряда или питания затвора выше шины. Это же поведение делает его полезным для защиты от обратной полярности, где прибор включён последовательно со входом, а его встроенный диод и канал расположены так, что правильно подключённый источник питания проходит, а обратный блокируется.
P-канальные компоненты также распространены в малых ключах нагрузки, согласовании уровней и схемах с батарейным питанием, где простота управления важнее более низкого сопротивления во включённом состоянии, которое N-канальный прибор может обеспечить при том же размере кристалла. Для схем, коммутирующих цепь истока, или которым требуется наименьшее RDS(ON) при заданном посадочном месте, смотрите нашу N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET).
Складская линейка P-канальных компонентов
Линейка Weforsemi включает следующие P-канальные приборы. Приведённые ниже данные взяты из опубликованных данных производителя.
- VC2301HX-2.3A — P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SOT-23; в одной позиции описывается конструкция TrenchFET. Корпус SOT-23 подходит для универсальной коммутации нагрузки на платах, где предпочтителен малый корпус с тремя выводами.
- VCE3139KHX — P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) SOT-523, VDSS -20 V, 150 мВт. Корпус SOT-523 полезен там, где площадь платы ограничена, а ток нагрузки умеренный.
Оба компонента входят в более широкий портфель транзисторов, который включает N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET), биполярные транзисторы и цифровые типы. Страница хабе MOSFET перечисляет полный выбор, а инженеры, подбирающие компонент для более высокого тока, могут сравнить варианты в нашем разделе мощные MOSFET . Наличие конкретных номеров деталей следует подтверждать у нашей команды продаж на момент запроса.
Коммутация в цепи стока и защита от полярности
В ключе в цепи стока исток P-канального прибора подключается к положительной шине, а сток — к нагрузке. Притягивание затвора к низкому уровню включает прибор; возврат затвора к напряжению истока выключает его. Подтягивающий резистор от затвора к истоку удерживает прибор выключенным по умолчанию, что является безопасным состоянием при включении питания и в аварийных условиях. Малый NPN- или N-канальный прибор, или специализированный драйвер, часто используется для притягивания затвора к низкому уровню под логическим управлением.
Для защиты от обратной полярности P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) подключается так, что его встроенный диод проводит в прямом направлении, а канал усиливается при нормальной работе, обеспечивая низкое падение напряжения по сравнению с последовательным диодом Шоттки. Защита затвора — резистор и стабилитрон там, где шина может превышать номинал затвора — является стандартной практикой.
Выбор P-канального компонента
Выбор начинается с электрического диапазона. Подтвердите максимальное напряжение сток-исток с запасом относительно наивысшей шины, которую увидит схема, включая переходные процессы; номинал затвор-исток при всех условиях управления; непрерывный и пиковый ток стока при предполагаемой температуре корпуса; и RDS(ON) при фактически доступном напряжении затвора. Последний пункт наиболее важен: компонент, указанный при VGS = -4.5 V, не обеспечит своё номинальное сопротивление во включённом состоянии при управлении затвором 2.5 V.
Затем проверьте тепловую сторону — рассеиваемую мощность корпуса, тепловое сопротивление и температуру окружающей среды или корпуса — и подтвердите, что посадочное место и цоколёвка соответствуют вашей компоновке. Для коммутационных схем заряд затвора и входная ёмкость определяют потери на управление и скорости фронтов. Номинал ESD следует проверять там, где прибор открыт на разъёме.
Пришлите нам напряжение шины, ток нагрузки, уровень управления затвором, предпочтение по корпусу и рабочую температуру, и мы подтвердим, какой складской компонент подходит.
Часто задаваемые вопросы
Когда мне следует выбрать P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) вместо N-канального?
Выбирайте P-канальный прибор, когда коммутатор должен находиться на стороне высокого напряжения нагрузки и вы хотите избежать подачи напряжения на затвор выше положительной шины или использования зарядового насоса. N-канальные приборы обычно предпочтительны для коммутации по низкой стороне и для обеспечения наименьшего сопротивления открытого канала при заданном размере.
Можно ли использовать P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) для защиты от обратной полярности?
Да. При последовательном включении с источником питания прибор блокирует ток при обратной полярности входного напряжения и проводит с малым падением напряжения при правильной полярности. Затвор должен быть защищён от перенапряжения, а напряжение сток-исток должно покрывать весь диапазон входного напряжения.
Какую информацию мне нужно отправить, чтобы получить предложение на P-канальный прибор?
Укажите напряжение питания, максимальный ток нагрузки, доступное напряжение управления затвором, предпочтительный корпус, рабочий диапазон температур и любые требования к ESD или коммутации. Наша команда сопоставит их с линейкой Weforsemi и подтвердит текущее наличие на складе.
Типовые модели — опубликованные данные
| Модель | Корпус | Опубликованные данные |
|---|---|---|
| VC2301HX-2.3A | SOT-23 | P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) (конструкция TrenchFET в одном опубликованном описании) |
| VCE3139KHX | SOT-523 | P-канальный МОП-транзистор (MOSFET); VDSS −20 В; 150 мВт |
Параметры взяты с опубликованных страниц продукции производителя. Перед проектированием подтвердите полную спецификацию даташита; номиналы подтверждаются при котировке.
Смотрите также: МОП-транзисторы (MOSFET) · N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET) · Мощные МОП-транзисторы (MOSFET)