Главная / МОП-транзисторы (MOSFET) / P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET)

P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET)

ЯкорьVC2301HX-2.3A · SOT-23
Малый типVCE3139KHX · SOT-523
НоминалVDSS −20 V (VCE3139KHX)
ПрименениеКоммутация в цепи стока и нагрузки

Haiben — поставщик электронных компонентов на базе Shenzhen, основанный в 2013, обслуживающий закупочные команды и инженеров-аппаратчиков производителей электроники. Среди семейств транзисторов, которые мы держим на складе, линейка P-канальных МОП-транзисторов (MOSFET) охватывает малосигнальные компоненты и компоненты для коммутации нагрузки для управления в цепи стока, защиты от обратной полярности и компактных SMD-конструкций. Эта страница объясняет, что делают эти компоненты, что мы держим на складе и как выбрать подходящий. Наша линейка полупроводников собственного бренда Weforsemi управляется нашей стопроцентной дочерней компанией и представлена в ассортименте ниже наряду с более широким каталогом Haiben.

Для чего нужны P-канальные МОП-транзисторы (MOSFET)

MOSFET — это ключ с управлением напряжением. В N-канальном приборе канал проводит ток, когда затвор находится под напряжением выше истока; в P-канальном приборе канал проводит, когда затвор находится под напряжением ниже истока. Это простое различие определяет, где применяется каждый тип.

P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) P-канальных МОП-транзисторов (MOSFET) является естественным выбором для коммутации в цепи стока. Поскольку он проводит, когда затвор привязан к положительной шине, он может находиться между источником питания и нагрузкой и включать и выключать эту нагрузку без накачки заряда или питания затвора выше шины. Это же поведение делает его полезным для защиты от обратной полярности, где прибор включён последовательно со входом, а его встроенный диод и канал расположены так, что правильно подключённый источник питания проходит, а обратный блокируется.

P-канальные компоненты также распространены в малых ключах нагрузки, согласовании уровней и схемах с батарейным питанием, где простота управления важнее более низкого сопротивления во включённом состоянии, которое N-канальный прибор может обеспечить при том же размере кристалла. Для схем, коммутирующих цепь истока, или которым требуется наименьшее RDS(ON) при заданном посадочном месте, смотрите нашу N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET).

Складская линейка P-канальных компонентов

Линейка Weforsemi включает следующие P-канальные приборы. Приведённые ниже данные взяты из опубликованных данных производителя.

Оба компонента входят в более широкий портфель транзисторов, который включает N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET), биполярные транзисторы и цифровые типы. Страница хабе MOSFET перечисляет полный выбор, а инженеры, подбирающие компонент для более высокого тока, могут сравнить варианты в нашем разделе мощные MOSFET . Наличие конкретных номеров деталей следует подтверждать у нашей команды продаж на момент запроса.

Коммутация в цепи стока и защита от полярности

В ключе в цепи стока исток P-канального прибора подключается к положительной шине, а сток — к нагрузке. Притягивание затвора к низкому уровню включает прибор; возврат затвора к напряжению истока выключает его. Подтягивающий резистор от затвора к истоку удерживает прибор выключенным по умолчанию, что является безопасным состоянием при включении питания и в аварийных условиях. Малый NPN- или N-канальный прибор, или специализированный драйвер, часто используется для притягивания затвора к низкому уровню под логическим управлением.

Для защиты от обратной полярности P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) подключается так, что его встроенный диод проводит в прямом направлении, а канал усиливается при нормальной работе, обеспечивая низкое падение напряжения по сравнению с последовательным диодом Шоттки. Защита затвора — резистор и стабилитрон там, где шина может превышать номинал затвора — является стандартной практикой.

Выбор P-канального компонента

Выбор начинается с электрического диапазона. Подтвердите максимальное напряжение сток-исток с запасом относительно наивысшей шины, которую увидит схема, включая переходные процессы; номинал затвор-исток при всех условиях управления; непрерывный и пиковый ток стока при предполагаемой температуре корпуса; и RDS(ON) при фактически доступном напряжении затвора. Последний пункт наиболее важен: компонент, указанный при VGS = -4.5 V, не обеспечит своё номинальное сопротивление во включённом состоянии при управлении затвором 2.5 V.

Затем проверьте тепловую сторону — рассеиваемую мощность корпуса, тепловое сопротивление и температуру окружающей среды или корпуса — и подтвердите, что посадочное место и цоколёвка соответствуют вашей компоновке. Для коммутационных схем заряд затвора и входная ёмкость определяют потери на управление и скорости фронтов. Номинал ESD следует проверять там, где прибор открыт на разъёме.

Пришлите нам напряжение шины, ток нагрузки, уровень управления затвором, предпочтение по корпусу и рабочую температуру, и мы подтвердим, какой складской компонент подходит.

Часто задаваемые вопросы

Когда мне следует выбрать P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) вместо N-канального?

Выбирайте P-канальный прибор, когда коммутатор должен находиться на стороне высокого напряжения нагрузки и вы хотите избежать подачи напряжения на затвор выше положительной шины или использования зарядового насоса. N-канальные приборы обычно предпочтительны для коммутации по низкой стороне и для обеспечения наименьшего сопротивления открытого канала при заданном размере.

Можно ли использовать P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) для защиты от обратной полярности?

Да. При последовательном включении с источником питания прибор блокирует ток при обратной полярности входного напряжения и проводит с малым падением напряжения при правильной полярности. Затвор должен быть защищён от перенапряжения, а напряжение сток-исток должно покрывать весь диапазон входного напряжения.

Какую информацию мне нужно отправить, чтобы получить предложение на P-канальный прибор?

Укажите напряжение питания, максимальный ток нагрузки, доступное напряжение управления затвором, предпочтительный корпус, рабочий диапазон температур и любые требования к ESD или коммутации. Наша команда сопоставит их с линейкой Weforsemi и подтвердит текущее наличие на складе.

Типовые модели — опубликованные данные

МодельКорпусОпубликованные данные
VC2301HX-2.3ASOT-23P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) (конструкция TrenchFET в одном опубликованном описании)
VCE3139KHXSOT-523P-канальный МОП-транзистор (MOSFET); VDSS −20 В; 150 мВт

Параметры взяты с опубликованных страниц продукции производителя. Перед проектированием подтвердите полную спецификацию даташита; номиналы подтверждаются при котировке.

Смотрите также: МОП-транзисторы (MOSFET) · N-канальные МОП-транзисторы (MOSFET) · Мощные МОП-транзисторы (MOSFET)

Отправьте ваши номера деталей или BOM

Отправьте номера деталей, которые вы закупаете — или полную BOM — и команда ответит с информацией о наличии, вариантах кросс-референса и ценах. На большинство стандартных деталей MOQ не распространяется, и образцы доступны.