MOSFET

Haiben fournit des composants électroniques de Shenzhen depuis 2013, et notre catalogue comprend une gamme de transistors compacte mais soigneusement choisie : transistors bipolaires, types numériques (pré-polarisés), dispositifs Darlington et composites, et MOSFET. Pour les équipes achats et les ingénieurs matériel, cette page regroupe la gamme de MOSFET, explique comment nous la répartissons par canal et par tension nominale, et indique les critères de sélection qui comptent lorsque vous spécifiez un transistor MOSFET pour une conception.

La gamme MOSFET en un coup d'œil

La partie MOSFET du catalogue est organisée par canal, boîtier et classe de tension, afin que les acheteurs puissent restreindre rapidement la liste avant de consulter la fiche technique. Les entrées actuelles comprennent :

• VC9320A-1 — SOT-723, canal N, VDS 20 V, ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm typ à VGS 4.5 V et 180 mOhm typ à 2.5 V, capacité ESD HBM 3 kV.
• VCAA3134KLC — SOT-883, canal N, VDS 20 V, ID 0.9 A, RDS(ON) inférieur à 250 mOhm à VGS 4.5 V et inférieur à 350 mOhm à 2.5 V ; conception de cellule trench haute densité pour une faible résistance à l'état passant, optimisée pour les performances de commutation.
• VC1012F — SOT-523, canal N, 150 mW, ESD 2000 V.
• VC7002HX — SOT-23, MOSFET à enrichissement canal N, VDSS 60 V, 350 mW, faible RDS(ON), faible tension de seuil de grille, faible capacité d'entrée, protégé ESD jusqu'à 2 kV.
• VC2301HX-2.3A — SOT-23, MOSFET canal P ; une référence décrit une construction TrenchFET.
• VCE3139KHX — SOT-523, canal P, VDSS -20 V, 150 mW.

Ces pièces côtoient nos gammes de BJT, de transistors numériques et de transistors composites, de sorte qu'une seule demande peut couvrir plusieurs positions sur une carte. Si vous découvrez cette famille de dispositifs, notre explication sur ce qu'est un MOSFET couvre la structure de base et le comportement de commutation avant que vous ne lisiez les tableaux.

Canal N et canal P : les deux moitiés

La gamme se divise nettement selon la polarité du canal. Les pièces canal N telles que le VC9320A-1, le VCAA3134KLC, le VC1012F et le VC7002HX sont généralement utilisées pour la commutation côté bas, où la source se trouve à la masse ou à proximité et où la grille est commandée au-dessus de celle-ci. Les pièces canal P telles que le VC2301HX-2.3A et le VCE3139KHX sont plus souvent rencontrées dans des positions côté haut ou de commutation de charge, où la grille est tirée sous la tension de source pour activer le dispositif.

Parcourez les deux groupes séparément : MOSFET à canal N et MOSFET à canal P. Cette distinction est importante au stade de la demande de renseignements, car le choix du canal détermine la configuration d'attaque de grille et, par conséquent, la valeur de RDS(ON) pertinente dans la fiche technique.

Les caractéristiques qui décident de la sélection

La plupart des recherches de MOSFET sont guidées par l'information : les ingénieurs veulent comprendre quel paramètre limite une conception, pas seulement trouver un numéro de pièce. Quatre caractéristiques décident généralement du choix :

• VDS / VDSS — la tension drain-source que le composant doit bloquer. Les pièces à canal N de 20 V et le 60 V VC7002HX couvrent des rails différents ; le canal P VCE3139KHX est caractérisé à VDSS -20 V.
• ID — le courant de drain continu, indiqué ici comme 1.0 A pour le VC9320A-1 et 0.9 A pour le VCAA3134KLC.
• RDS(ON) à l'attaque de grille réelle — la résistance à l'état passant n'a de sens qu'à la VGS que vous appliquerez. Notez que les pièces à 20 V publient des valeurs à la fois à 4.5 V et à 2.5 V de VGS, ce qui importe pour l'attaque logique basse tension.
• Boîtier et ESD — SOT-723, SOT-883, SOT-523 et SOT-23 diffèrent par l'empreinte et la dissipation ; les pièces petits signaux portent des caractéristiques de 150 mW ou 350 mW, et plusieurs MOSFET indiquent une capacité ESD (HBM 3 kV sur le VC9320A-1, 2 kV sur le VC7002HX).

Rôles du transistor MOSFET et spécification

En pratique, un transistor MOSFET de cette gamme remplit l'un de quelques rôles : commutation de charge depuis une broche logique, commutation petits signaux, décalage de niveau ou simple contrôle de puissance sur une carte compacte. La construction à cellules trench du VCAA3134KLC et le faible seuil de grille et la faible capacité d'entrée du VC7002HX illustrent comment le procédé et la conception des cellules sont ajustés pour différents usages.

Le reste du catalogue accompagne la même démarche de conception. Les composants bipolaires (VC3904TB, VC3906B, VC8050X-0.3A, VCSS8050B-1.5A, VC2N4401Z, VC2N3906Z, VC2SC4617F) couvrent l'amplification et la commutation conventionnelles ; les transistors numériques (VC143ZEF, VC143ZME) intègrent le réseau de résistances de base ; et la catégorie Transistors Darlington / composites comprend le composite MOSFET-Schottky VC5853DCJ et le transistor de puissance PNP VCMNT32D avec N-MOSFET. Pour spécifier, envoyez-nous le canal, la VDS, l'ID, la limite de RDS(ON) à votre tension de grille, le boîtier que vous pouvez placer et toute exigence ESD — cet ensemble suffit pour présélectionner dans la gamme.

Questions fréquentes

Par quel MOSFET commencer pour un commutateur côté bas à 20 V ?

Commencez par les pièces à canal N de 20 V : le VC9320A-1 en SOT-723 (ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm typ. à VGS 4.5 V) ou le VCAA3134KLC en SOT-883 (ID 0.9 A, RDS(ON) inférieure à 250 mOhm à 4.5 V). Choisissez entre eux selon le boîtier, la marge de courant et la tension de grille que votre circuit peut fournir.

Proposez-vous des MOSFET à canal P pour la commutation côté haut ?

Oui. Les entrées à canal P sont le VC2301HX-2.3A en SOT-23 et le VCE3139KHX en SOT-523 (VDSS -20 V, 150 mW). Vérifiez la configuration d'attaque de grille et la résistance à l'état passant à votre VGS réelle avant de fixer le choix.

Puis-je combiner des MOSFET avec d'autres types de transistors dans une même commande ?

Oui. Les MOSFET figurent dans le même catalogue que les lignes de transistors bipolaires, numériques et Darlington/composites, de sorte qu'une seule demande peut couvrir plusieurs types de composants. Indiquez les caractéristiques et les boîtiers pour chaque position et nous répondrons sur la base des données publiées.