MOSFET

Haiben suministra componentes electrónicos desde Shenzhen desde 2013, y nuestro catálogo incluye una gama de transistores compacta pero cuidadosamente seleccionada: transistores bipolares, tipos digitales (prepolarizados), dispositivos Darlington y compuestos, y MOSFET. Para los equipos de compras y los ingenieros de hardware, esta página agrupa la gama de MOSFET, explica cómo la dividimos por canal y clasificación, y señala los criterios de selección que importan cuando se especifica un transistor MOSFET para un diseño.

La gama de MOSFET de un vistazo

La parte de MOSFET del catálogo está organizada por canal, encapsulado y clase de voltaje, de modo que los compradores pueden reducir rápidamente la lista antes de consultar la hoja de datos. Las entradas actuales incluyen:

• VC9320A-1 — SOT-723, canal N, VDS 20 V, ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm típ. a VGS 4.5 V y 180 mOhm típ. a 2.5 V, capacidad ESD HBM 3 kV.
• VCAA3134KLC — SOT-883, canal N, VDS 20 V, ID 0.9 A, RDS(ON) inferior a 250 mOhm a VGS 4.5 V e inferior a 350 mOhm a 2.5 V; diseño de celda de trinchera de alta densidad para baja resistencia de encendido, optimizado para rendimiento de conmutación.
• VC1012F — SOT-523, canal N, 150 mW, ESD 2000 V.
• VC7002HX — SOT-23, MOSFET de canal N de enriquecimiento, VDSS 60 V, 350 mW, RDS(ON) bajo, voltaje umbral de compuerta bajo, capacitancia de entrada baja, protección ESD hasta 2 kV.
• VC2301HX-2.3A — SOT-23, MOSFET de canal P; una entrada describe la construcción TrenchFET.
• VCE3139KHX — SOT-523, canal P, VDSS -20 V, 150 mW.

Estos componentes se suman a nuestras líneas de BJT, transistores digitales y transistores compuestos, de modo que una sola consulta puede cubrir varias posiciones en una placa. Si es nuevo en la familia de dispositivos, nuestra explicación sobre qué es un MOSFET cubre la estructura básica y el comportamiento de conmutación antes de leer las tablas.

Canal N y canal P: las dos mitades

La gama se divide claramente por polaridad de canal. Los componentes de canal N como el VC9320A-1, VCAA3134KLC, VC1012F y VC7002HX se utilizan típicamente para conmutación de lado bajo, donde la fuente está en o cerca de tierra y la compuerta se controla por encima de ella. Los componentes de canal P como el VC2301HX-2.3A y el VCE3139KHX se ven más a menudo en posiciones de lado alto o de conmutación de carga, donde la compuerta se lleva por debajo del riel de fuente para encender el dispositivo.

Explore los dos grupos por separado: MOSFET de canal N y MOSFET de canal P. La separación importa en la fase de consulta porque la elección del canal fija la disposición de excitación de compuerta y, por tanto, qué cifra de RDS(ON) de la hoja de datos es la relevante.

Los valores que deciden la selección

La mayoría de las búsquedas de MOSFET están guiadas por la información: los ingenieros quieren entender qué parámetro limita un diseño, no solo encontrar un número de pieza. Por lo general, cuatro valores deciden la elección:

• VDS / VDSS — la tensión drenaje-fuente que el dispositivo debe bloquear. Las piezas de canal N de 20 V y las VC7002HX de 60 V cubren rieles diferentes; la pieza de canal P VCE3139KHX está especificada a VDSS -20 V.
• ID — corriente continua de drenaje, indicada aquí como 1.0 A para el VC9320A-1 y 0.9 A para el VCAA3134KLC.
• RDS(ON) con la excitación de compuerta real — la resistencia en conducción solo es significativa con la VGS que se vaya a aplicar. Tenga en cuenta que las piezas de 20 V publican valores tanto a 4.5 V como a 2.5 V de VGS, lo cual importa para la excitación lógica de baja tensión.
• Encapsulado y ESD — SOT-723, SOT-883, SOT-523 y SOT-23 difieren en huella y disipación; las piezas de señal pequeña llevan valores de 150 mW o 350 mW, y varios MOSFET declaran capacidad ESD (HBM 3 kV en el VC9320A-1, 2 kV en el VC7002HX).

Funciones del transistor MOSFET y especificación

En la práctica, un transistor MOSFET de esta gama cumple una de unas pocas funciones: conmutación de carga desde un pin lógico, conmutación de señal pequeña, desplazamiento de nivel o control de potencia sencillo en una placa compacta. La construcción de celda de trinchera del VCAA3134KLC y el bajo umbral de compuerta y la baja capacidad de entrada del VC7002HX ilustran cómo el proceso y el diseño de celda se ajustan para distintas tareas.

El resto del catálogo respalda la misma conversación de diseño. Los dispositivos bipolares (VC3904TB, VC3906B, VC8050X-0.3A, VCSS8050B-1.5A, VC2N4401Z, VC2N3906Z, VC2SC4617F) cubren amplificación y conmutación convencionales; los transistores digitales (VC143ZEF, VC143ZME) integran la red de resistencias de base; y la categoría de transistores Darlington / compuestos incluye el compuesto MOSFET-Schottky VC5853DCJ y el transistor de potencia PNP con N-MOSFET VCMNT32D. Para especificar, envíenos el canal, VDS, ID, el límite de RDS(ON) con su tensión de compuerta, el encapsulado que puede colocar y cualquier requisito de ESD; ese conjunto basta para preseleccionar dentro de la gama.

Preguntas frecuentes

¿Con qué MOSFET debería empezar para un interruptor de lado bajo de 20 V?

Empiece por las piezas de canal N de 20 V: el VC9320A-1 en SOT-723 (ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm típ. a VGS 4.5 V) o el VCAA3134KLC en SOT-883 (ID 0.9 A, RDS(ON) inferior a 250 mOhm a 4.5 V). Elija entre ellos según el encapsulado, el margen de corriente y la tensión de compuerta que su circuito pueda suministrar.

¿Ofrecen MOSFET de canal P para conmutación de lado alto?

Sí. Las entradas de canal P son el VC2301HX-2.3A en SOT-23 y el VCE3139KHX en SOT-523 (VDSS -20 V, 150 mW). Verifique la disposición de excitación de compuerta y la resistencia en conducción con su VGS real antes de fijar la elección.

¿Puedo combinar MOSFET con otros tipos de transistor en un mismo pedido?

Sí. Los MOSFET están en el mismo catálogo que las líneas de transistores bipolares, digitales y Darlington/compuestos, por lo que una sola consulta puede abarcar varios tipos de dispositivo. Incluya los valores y encapsulados de cada posición y responderemos con base en los datos publicados.