MOSFETs

A Haiben fornece componentes eletrónicos desde Shenzhen em 2013, e o nosso catálogo inclui uma gama de transistores compacta mas cuidadosamente escolhida: transistores bipolares, tipos digitais (pré-polarizados), Darlington e dispositivos compostos, e MOSFETs. Para equipas de compras e engenheiros de hardware, esta página agrupa a gama de MOSFETs, explica como a dividimos por canal e classificação, e aponta os critérios de seleção que importam quando especifica um transistor MOSFET para um design.

A gama de MOSFETs num relance

A parte de MOSFETs do catálogo está organizada por canal, encapsulamento e classe de tensão, para que os compradores possam reduzir rapidamente a lista antes de verificar a ficha técnica. As entradas atuais incluem:

• VC9320A-1 — SOT-723, canal N, VDS 20 V, ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm típ. a VGS 4.5 V e 180 mOhm típ. a 2.5 V, capacidade ESD HBM 3 kV.
• VCAA3134KLC — SOT-883, canal N, VDS 20 V, ID 0.9 A, RDS(ON) inferior a 250 mOhm a VGS 4.5 V e inferior a 350 mOhm a 2.5 V; design de célula de trincheira de alta densidade para baixa resistência em condução, otimizado para desempenho de comutação.
• VC1012F — SOT-523, canal N, 150 mW, ESD 2000 V.
• VC7002HX — SOT-23, MOSFET de enriquecimento de canal N, VDSS 60 V, 350 mW, RDS(ON) baixo, tensão de limiar de porta baixa, capacitância de entrada baixa, ESD protegido até 2 kV.
• VC2301HX-2.3A — SOT-23, MOSFET de canal P; uma listagem descreve a construção TrenchFET.
• VCE3139KHX — SOT-523, canal P, VDSS -20 V, 150 mW.

Estas peças situam-se ao lado das nossas linhas de BJT, transistores digitais e transistores compostos, para que uma única consulta possa cobrir várias posições numa placa. Se é novo na família de dispositivos, a nossa explicação sobre o que é um MOSFET abrange a estrutura básica e o comportamento de comutação antes de ler as tabelas.

Canal N e canal P: as duas metades

A gama divide-se claramente pela polaridade do canal. As peças de canal N, como o VC9320A-1, VCAA3134KLC, VC1012F e VC7002HX, são tipicamente utilizadas para comutação de lado baixo, onde a fonte está ao nível ou perto da terra e a porta é acionada acima desta. As peças de canal P, como o VC2301HX-2.3A e o VCE3139KHX, são mais frequentemente vistas em posições de lado alto ou comutação de carga, onde a porta é puxada abaixo da tensão da fonte para ligar o dispositivo.

Navegue pelos dois grupos separadamente: MOSFETs de canal N e MOSFETs de canal P. A separação é importante na fase de consulta porque a escolha do canal define o arranjo de acionamento do gate e, portanto, qual valor de RDS(ON) na ficha técnica é o relevante.

Os parâmetros que decidem a seleção

A maioria das buscas por MOSFET é orientada por informação: os engenheiros querem entender qual parâmetro limita um projeto, não apenas encontrar um número da peça. Quatro parâmetros geralmente decidem a escolha:

• VDS / VDSS — a tensão dreno-fonte que o dispositivo deve bloquear. As peças de canal N de 20 V e o 60 V VC7002HX cobrem barramentos diferentes; o canal P VCE3139KHX tem VDSS de -20 V.
• ID — corrente de dreno contínua, indicada aqui como 1.0 A para o VC9320A-1 e 0.9 A para o VCAA3134KLC.
• RDS(ON) no acionamento real do gate — a resistência de condução só é significativa no VGS que você aplicará. Observe que as peças de 20 V publicam valores tanto em VGS de 4.5 V quanto de 2.5 V, o que importa para acionamento lógico de baixa tensão.
• Encapsulamento e ESD — SOT-723, SOT-883, SOT-523 e SOT-23 diferem em footprint e dissipação; as peças de pequeno sinal têm classificações de 150 mW ou 350 mW, e vários MOSFETs indicam capacidade de ESD (HBM 3 kV no VC9320A-1, 2 kV no VC7002HX).

Funções do transistor MOSFET e especificação

Na prática, um transistor MOSFET nesta faixa desempenha uma entre algumas funções: comutação de carga a partir de um pino lógico, comutação de pequeno sinal, deslocamento de nível ou controle de potência simples em uma placa compacta. A construção de célula trench do VCAA3134KLC e o baixo limiar de gate e a baixa capacitância de entrada do VC7002HX ilustram como o processo e o design de célula são ajustados para diferentes tarefas.

O restante do catálogo apoia a mesma conversa de projeto. Dispositivos bipolares (VC3904TB, VC3906B, VC8050X-0.3A, VCSS8050B-1.5A, VC2N4401Z, VC2N3906Z, VC2SC4617F) cobrem amplificação e comutação convencionais; transistores digitais (VC143ZEF, VC143ZME) integram a rede de resistores de base; e a categoria Transistores Darlington / Compostos inclui o composto MOSFET-Schottky VC5853DCJ e o transistor de potência PNP VCMNT32D com N-MOSFET. Para especificar, envie-nos o canal, VDS, ID, o limite de RDS(ON) na sua tensão de gate, o encapsulamento que você pode posicionar e qualquer requisito de ESD — esse conjunto é suficiente para pré-selecionar na faixa.

Perguntas frequentes

Com qual MOSFET devo começar para uma chave de baixo lado de 20 V?

Comece pelas peças de canal N de 20 V: o VC9320A-1 em SOT-723 (ID 1.0 A, RDS(ON) 160 mOhm típ. em VGS 4.5 V) ou o VCAA3134KLC em SOT-883 (ID 0.9 A, RDS(ON) abaixo de 250 mOhm em 4.5 V). Escolha entre eles pelo encapsulamento, margem de corrente e tensão de gate que seu circuito pode fornecer.

Vocês oferecem MOSFETs de canal P para comutação de alto lado?

Sim. As entradas de canal P são o VC2301HX-2.3A em SOT-23 e o VCE3139KHX em SOT-523 (VDSS -20 V, 150 mW). Verifique o arranjo de acionamento do gate e a resistência de condução no seu VGS real antes de fixar a escolha.

Posso combinar MOSFETs com outros tipos de transistor em um único pedido?

Sim. Os MOSFETs estão no mesmo catálogo das linhas de transistores bipolares, digitais e Darlington/compostos, portanto uma única consulta pode cobrir vários tipos de dispositivo. Inclua os parâmetros e encapsulamentos para cada posição e responderemos com base nos dados publicados.