MOSFETs de canal P
A Haiben é um fornecedor de componentes eletrônicos baseado em Shenzhen, fundado em 2013, que atende equipes de compras e engenheiros de hardware em fabricantes de eletrônicos. Entre as famílias de transistores que estocamos, a p channel mosfet linha abrange peças de pequeno sinal e de comutação de carga para controle de lado alto, proteção contra polaridade reversa e projetos SMD compactos. Esta página explica o que essas peças fazem, o que estocamos e como especificar uma. Nossa linha de semicondutores de marca própria, Weforsemi, é operada por nossa subsidiária integral e aparece na linha abaixo, juntamente com o catálogo mais amplo da Haiben.
Para que servem os MOSFETs de canal P
Um MOSFET é uma chave controlada por tensão. Em um dispositivo de canal N, o canal conduz corrente quando a porta é acionada acima da fonte; em um dispositivo de canal P, o canal conduz quando a porta é puxada abaixo da fonte. Essa diferença simples determina onde cada tipo é usado.
O p channel mosfet é a escolha natural para comutação de lado alto. Como conduz com a porta referenciada ao barramento positivo, pode ficar entre a alimentação e a carga e ligar e desligar essa carga sem uma bomba de carga ou uma alimentação de porta acima do barramento. O mesmo comportamento o torna útil para proteção contra polaridade reversa, onde o dispositivo é colocado em série com a entrada e seu diodo de corpo e canal são arranjados de modo que uma alimentação conectada corretamente passe e uma invertida seja bloqueada.
Peças de canal P também são comuns em pequenas chaves de carga, deslocamento de nível e circuitos alimentados por bateria onde a simplicidade do acionamento importa mais do que a menor resistência de condução que um dispositivo de canal N pode oferecer no mesmo tamanho de pastilha. Para circuitos que comutam o lado baixo, ou que precisam do menor RDS(ON) para uma dada área, consulte nossa MOSFETs de canal N.
A linha de canal P em estoque
A linha Weforsemi inclui os seguintes dispositivos de canal P. Os números abaixo são dos dados publicados pelo fabricante.
- VC2301HX-2.3A — MOSFET de canal P SOT-23; uma listagem descreve a construção TrenchFET. Um contorno SOT-23 é adequado para comutação de carga de uso geral em placas onde se prefere uma pequena área de três terminais.
- VCE3139KHX — MOSFET de canal P SOT-523, VDSS -20 V, 150 mW. O encapsulamento SOT-523 é útil onde a área da placa é limitada e a corrente de carga é modesta.
Ambas as peças fazem parte de um portfólio de transistores mais amplo que inclui MOSFETs de canal N, transistores bipolares e tipos digitais. A hub de MOSFETs lista a seleção completa, e engenheiros que dimensionam uma peça para corrente mais alta podem comparar opções em nossa página de MOSFETs de potência seção. A disponibilidade de números de peça específicos deve ser confirmada com nossa equipe de vendas no momento da consulta.
Comutação de lado alto e proteção de polaridade
Em uma chave de lado alto, a fonte do canal P conecta-se ao barramento positivo e o dreno à carga. Puxar a porta para baixo liga o dispositivo; retornar a porta à tensão da fonte o desliga. Um resistor de pull-up da porta para a fonte mantém o dispositivo desligado por padrão, que é o estado seguro durante a energização e condições de falha. Um pequeno dispositivo NPN ou de canal N, ou um driver dedicado, é frequentemente usado para puxar a porta para baixo sob controle lógico.
Para proteção contra polaridade reversa, o MOSFET de canal P é conectado de modo que seu diodo de corpo conduza no sentido direto e o canal seja reforçado em operação normal, proporcionando uma queda de tensão baixa em comparação com um diodo Schottky em série. A proteção de porta — um resistor e um zener onde o barramento pode exceder a classificação da porta — é prática padrão.
Especificar uma peça de canal P
A seleção começa pelo envelope elétrico. Confirme a tensão máxima dreno-fonte com margem sobre o barramento mais alto que o circuito verá, incluindo transientes; a classificação porta-fonte em todas as condições de acionamento; a corrente de dreno contínua e de pico na temperatura de cápsula pretendida; e o RDS(ON) na tensão de porta realmente disponível. O último ponto é o mais importante: uma peça especificada em VGS = -4.5 V não entregará sua resistência de condução nominal a partir de um acionamento de porta de 2.5 V.
Em seguida, verifique o lado térmico — dissipação de potência do encapsulamento, resistência térmica e temperatura ambiente ou de cápsula — e confirme se a área e o pinout se encaixam no seu layout. Para circuitos de comutação, a carga de porta e a capacitância de entrada definem as perdas de acionamento e as taxas de borda. A classificação ESD deve ser verificada onde o dispositivo fica exposto em um conector.
Envie-nos a tensão do barramento, a corrente de carga, o nível de acionamento de porta, a preferência de encapsulamento e a temperatura de operação, e confirmaremos qual peça em estoque se adequa.
Perguntas frequentes
Quando devo escolher um MOSFET de canal P em vez de um de canal N?
Escolha um dispositivo de canal P quando a chave precisar ficar no lado alto da carga e você quiser evitar uma alimentação de gate acima do trilho positivo ou uma bomba de carga. As peças de canal N geralmente são preferidas para comutação de lado baixo e para a menor resistência de condução em um determinado tamanho.
Um MOSFET de canal P pode ser usado para proteção contra inversão de polaridade?
Sim. Conectado em série com a alimentação, o dispositivo bloqueia a corrente quando a polaridade da entrada é invertida e conduz com baixa queda quando ela está correta. O gate deve ser protegido contra sobretensão, e a tensão dreno-fonte deve cobrir toda a faixa de entrada.
Quais informações preciso enviar para obter uma cotação de uma peça de canal P?
Forneça a tensão de alimentação, a corrente máxima de carga, a tensão de acionamento de gate disponível, o encapsulamento preferido, a faixa de temperatura de operação e quaisquer requisitos de ESD ou de comutação. Nossa equipe fará a correspondência com a linha Weforsemi e confirmará o estoque atual.
Modelos representativos — dados publicados
| Modelo | Encapsulamento | Dados publicados |
|---|---|---|
| VC2301HX-2.3A | SOT-23 | MOSFET de canal P (construção TrenchFET em uma listagem publicada) |
| VCE3139KHX | SOT-523 | MOSFET de canal P; VDSS −20 V; 150 mW |
Os parâmetros são citados das páginas de produto publicadas pelo fabricante. Confirme a especificação completa da ficha técnica antes do design-in; as classificações são confirmadas na cotação.
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