MOSFET à canal P

Haiben est un fournisseur de composants électroniques basé sur Shenzhen, fondé en 2013, au service des équipes achats et des ingénieurs matériel des fabricants d'électronique. Parmi les familles de transistors que nous stockons, la mosfet à canal p gamme couvre les pièces petit signal et de commutation de charge pour la commande côté haut, la protection contre l'inversion de polarité et les conceptions SMD compactes. Cette page explique ce que font ces pièces, ce que nous stockons et comment spécifier l'une d'elles. Notre ligne de semi-conducteurs de marque propre, Weforsemi, est exploitée par notre filiale détenue intégralement et figure dans la gamme ci-dessous aux côtés du catalogue plus large Haiben.

À quoi servent les MOSFET à canal P

Un MOSFET est un interrupteur commandé en tension. Dans un dispositif à canal N, le canal transporte le courant lorsque la grille est pilotée au-dessus de la source ; dans un dispositif à canal P, le canal conduit lorsque la grille est tirée en dessous de la source. Cette simple différence détermine où chaque type est utilisé.

Le mosfet à canal p est le choix naturel pour la commutation côté haut. Comme il conduit avec la grille référencée au rail positif, il peut se placer entre l'alimentation et la charge et activer ou désactiver cette charge sans pompe de charge ni alimentation de grille au-dessus du rail. Le même comportement le rend utile pour la protection contre l'inversion de polarité, où le dispositif est placé en série avec l'entrée et sa diode de corps et son canal sont agencés de sorte qu'une alimentation correctement connectée passe et qu'une alimentation inversée soit bloquée.

Les pièces à canal P sont également courantes dans les petits interrupteurs de charge, le décalage de niveau et les circuits alimentés par batterie où la simplicité d'attaque importe plus que la résistance à l'état passant plus faible qu'un dispositif à canal N peut offrir à taille de puce égale. Pour les circuits qui commutent le côté bas, ou qui nécessitent le RDS(ON) le plus faible pour un encombrement donné, voir notre MOSFET à canal N.

La gamme à canal P en stock

La ligne Weforsemi comprend les dispositifs à canal P suivants. Les chiffres ci-dessous proviennent des données publiées du fabricant.

• VC2301HX-2.3A — MOSFET à canal P SOT-23 ; une référence décrit une construction TrenchFET. Un boîtier SOT-23 convient à la commutation de charge générale sur les cartes où un petit encombrement à trois broches est préféré.
• VCE3139KHX — MOSFET à canal P SOT-523, VDSS -20 V, 150 mW. Le boîtier SOT-523 est utile lorsque la surface de carte est réduite et le courant de charge modeste.

Les deux pièces s'inscrivent dans un portefeuille de transistors plus large qui comprend les MOSFET à canal N, les transistors bipolaires et les types numériques. Le page d'accueil MOSFETs répertorie la sélection complète, et les ingénieurs dimensionnant une pièce pour un courant plus élevé peuvent comparer les options dans notre power MOSFETs section. La disponibilité de numéros de pièce spécifiques doit être confirmée auprès de notre équipe commerciale au moment de la demande.

Commutation côté haut et protection contre l'inversion de polarité

Dans un interrupteur côté haut, la source du canal P se connecte au rail positif et le drain à la charge. Tirer la grille vers le bas active le dispositif ; ramener la grille à la tension de source le désactive. Une résistance de tirage de la grille vers la source maintient le dispositif désactivé par défaut, ce qui est l'état sûr lors de la mise sous tension et des conditions de défaut. Un petit dispositif NPN ou à canal N, ou un pilote dédié, est souvent utilisé pour tirer la grille vers le bas sous commande logique.

Pour la protection contre l'inversion de polarité, le MOSFET à canal P est connecté de sorte que sa diode de corps conduise dans le sens direct et que le canal soit enrichi en fonctionnement normal, donnant une chute de tension faible par rapport à une diode Schottky en série. La protection de grille — une résistance et une diode Zener là où le rail peut dépasser la tension nominale de grille — est une pratique standard.

Spécifier une pièce à canal P

La sélection commence par l'enveloppe électrique. Confirmez la tension drain-source maximale avec une marge par rapport au rail le plus élevé que le circuit verra, transitoires compris ; la tension nominale grille-source dans toutes les conditions d'attaque ; le courant de drain continu et de crête à la température de boîtier prévue ; et le RDS(ON) à la tension de grille réellement disponible. Ce dernier point est le plus important : une pièce spécifiée à VGS = -4.5 V ne fournira pas sa résistance à l'état passant nominale à partir d'une attaque de grille de 2.5 V.

Vérifiez ensuite le côté thermique — dissipation de puissance du boîtier, résistance thermique et température ambiante ou de boîtier — et confirmez que l'encombrement et le brochage correspondent à votre implantation. Pour les circuits de commutation, la charge de grille et la capacité d'entrée déterminent les pertes d'attaque et les temps de commutation. La caractéristique ESD doit être vérifiée là où le dispositif est exposé au niveau d'un connecteur.

Envoyez-nous la tension de rail, le courant de charge, le niveau d'attaque de grille, la préférence de boîtier et la température de fonctionnement, et nous confirmerons quelle pièce en stock convient.

Questions fréquentes

Quand dois-je choisir un MOSFET à canal P plutôt qu'un MOSFET à canal N ?

Choisissez un composant à canal P lorsque le commutateur doit se trouver du côté haut de la charge et que vous souhaitez éviter une alimentation de grille au-dessus du rail positif ou une pompe de charge. Les pièces à canal N sont généralement préférées pour la commutation côté bas et pour la résistance à l'état passant la plus faible dans une taille donnée.

Un MOSFET à canal P peut-il être utilisé pour la protection contre l'inversion de polarité ?

Oui. Connecté en série avec l'alimentation, le composant bloque le courant lorsque la polarité d'entrée est inversée et conduit avec une faible chute lorsqu'elle est correcte. La grille doit être protégée contre les surtensions, et la tension drain-source doit couvrir toute la plage d'entrée.

Quelles informations dois-je envoyer pour obtenir un devis pour une pièce à canal P ?

Fournissez la tension d'alimentation, le courant de charge maximal, la tension d'attaque de grille disponible, le boîtier préféré, la plage de température de fonctionnement et toute exigence ESD ou de commutation. Notre équipe les comparera à la gamme Weforsemi et confirmera le stock actuel.